TP65H050WS / TP65H035WS третього покоління (Gen III) Нітрид галію (GaN) Польові транзистори (FETs)

Трансформові GaN FET мають більш тихі комутації за рахунок зменшення електромагнітних перешкод (EMI) та підвищення імунітету

TP65H050WS і TP65H035WS Transphorm - це БНТ-генератори III V 650 В. Вони знижують рівень ІМС, підвищують захисний захист від воріт та збільшують запас місця в програмах. 50 мОм TP65H050WS та 35 мОм TP65H035WS доступні в стандартних пакетах TO-247.

Модулі MOSFET та конструкції дозволяють пристроям Gen III подавати підвищену порогову напругу (шумозахищеність) до 4 В від 2,1 В (Gen II), що виключає необхідність негативного приводу затвора. Надійність воріт збільшилася від Gen II на 11% до ± 20 В максимум. Це призводить до більш тихої комутації, і платформа забезпечує підвищення продуктивності на більш високих рівнях струму за допомогою простої зовнішньої схеми.

Компанія Seasonic Electronics 1600T - це безмостовна платформа з тотемним полюсом потужністю 1600 Вт, яка використовує такі високі напруги GaN FET, щоб забезпечити 99% ефективність корекції коефіцієнта потужності (PFC) в зарядних пристроях акумуляторів (електронні скутери, промислові та інші), живлення ПК, сервери та ігрові ринки. До переваг використання цих БНТ із силіконовою платформою 1600T належить підвищення ефективності на 2% та збільшення щільності потужності на 20%.

Платформа 1600T використовує TP65H035WS Transphorm для досягнення більшої ефективності в схемах з жорстким і м'яким комутацією та надає користувачам варіанти при розробці продуктів енергосистеми. TP65H035WS поєднується з часто використовуваними драйверами затворів для спрощення конструкцій.